霍尔效应测试仪 ITO 薄膜测试参数指标

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霍尔效应测试仪 ITO 薄膜测试案例
上海伯东某科研客户霍尔效应测试案例一
样品: ITO 氧化铟锡, 标记为 ITO1, ITO2, ITO3
样品薄膜厚度: 60 - 100 nm
样品尺寸: 10 * 10 mm
实验内容: 载流子浓度, 类型, 霍尔迁移率, 方块电阻
实验仪器: 上海伯东英国 NanoMagnetics ezHEMS 霍尔效应测试仪

电阻率: 10^-4 至 10⁹ Ω-cm ( 样本依赖 )
迁移率: 1 至 10⁷ cm2 / Volt-sec ( 样本依赖 )
载流子浓度: 10e⁷ 至 10²¹ per cm-3 ( 样本依赖 )
输入电流: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
最小霍尔电压测量: 0.1 μV
支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形试样
磁场强度: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁铁

测试温度和磁场温度: 300K RT 1 Tesla
* 在测试开始前, 仪器均经过标准样品校验. 所有样品根据 ASTM 标准.

样品 ITO1 测试结果:
I-V 测量结果

部分测试结论:
1.>

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