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| 项目 | 技术指标 |
| 光谱范围 | ES03V：370-1000nmES03U：245-1000nm |
| 光谱分辨率 | 1.5nm |
| 单次测量时间 | 典型10s,取决于测量模式 |
| 准确度 | δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° （透射模式测空气时） |
| 膜厚测量重复性（1） | 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) |
| 折射率测量重复性（1） | 1x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) |
| 入射角度 | 40°-90°手动调节，步距5°，重复性0.02° |
| 光学结构 | PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度） |
| 样品台尺寸 | 可放置样品尺寸：直径170 mm |
| 样品方位调整 | 高度调节范围：0-10mm |
| 二维俯仰调节：±4° | |
| 样品对准 | 光学自准直显微和望远对准系统 |
| 软件 | •多语言界面切换 |
| •预设项目供快捷操作使用 | |
| •安全的权限管理模式（管理员、操作员） | |
| •方便的材料数据库以及多种色散模型库 | |
| •丰富的模型数据库 | |
| 选配件 | 自动扫描样品台聚焦透镜 |
注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。
2012-09-14：ES03取代原型号ES01/D。
参考成交价格：