牛津仪器C-Nano EBSD探测器参数指标

C-Nano是一种多功能、高效的EBSD探测器。利用Symmetry探测器的创新技术，为C-Nano这一入门级探测器提供了优越的性能。C-Nano适用于表征各种类型的样品，它的高像素分辨率使其非常适合于精细的应变分析以及复杂和具有挑战性材料的常规分析。

C-Nano是一款适用于各种材料和应用的EBSD探测器。利用专门定制的CMOS传感器，C-Nano的采集速度可达400点/秒，并能得到优质的312x256像素分辨率的花样：这比同类型的基于CCD的探测器采集速度快3倍，得到至少4倍像素的花样。C-Nano值得让您信任的性能，使其即使在更具挑战性的材料上，也能提供出色数据质量。

C-Nano的光学设计确保了更高的灵敏度和子像素失真级别，使其成为需要优质、高清花样的精细的应变分析的理想探测器。C-Nano的灵敏度确保在使用非常低的束流（在3nA以下）时也能达到更大的分析速度，从而能够对电子束敏感材料和纳米晶材料进行详细和成功的分析。

C-Nano还得益于整个牛津仪器CMOS探测器系列的新设计功能，包括独特的可避免潜在、昂贵代价的碰撞发生的接近传感器。C-Nano是一个您可以一直信赖使用的探测器。

• 1244x1024像素的全分辨率花样，适合高分辨率EBSD应用

• 400点/秒快速的采集速度

• 对低能量和低束流分析具有非常高的灵敏度

• 无失真图像

C-Nano探测器是高性能CMOS技术的入门选项：

• 保证在3nA束流条件下，实现400pps的标定速度

• 高速下采集312x256像素的花样分辨率——是同等速度下高分辨CCD探测器的4倍

• EBSD百万像素全分辨率花样(1244x1024像素)——高分辨率EBSD应变分析的理想选择

• 低失真光学器件, 确保角度精度优于0.05°

• 优化的高灵敏度荧光屏, 确保低剂量和低束流能量下的高质量的花样——增大空间分辨率

• 即使在最快速度下也能实现无缝的EDS集成

• 波纹管SEM接口，保持SEM真空完整性

• 独特的接近传感器——在可能发生的碰撞发生之前自动将探测器移动到安全位置

• 简单直观的探测器设置，确保每次都能获得满意效果

• 五个集成的前置探测器, 提供全彩色通道衬度图像和原子序数衬度图像

参考招标参数

EBSD技术参数：

数量：1套

1. EBSD技术指标

1.1 ★高速低噪音CMOS相机，光纤传导系统，分辨率1244*1024，并能够与各主流型号的电镜良好配合；

1.2 ★EBSD在线解析最高标定速度600pps，此时花样分辨率仍能保持为312*256，取向精度高达0.05度；

1.3 ★采用主动式防碰撞传感器设计，在碰撞发生前探测器自动预警并后撤，起到保护EBSD作用；

1.4 探测器插入退出，最快速度：15mm/s，精度：优于10μm；

1.5 软件配置

1.5.1 操作软件采用多任务设计，可以同时并行数个任务，并支持分屏显示及远程控制；

1.5.2 操作软件完全与能谱仪软件一体化，可根据能谱数据对EBSD花样进行预过滤，实现对未知相的相鉴定，实现能谱EBSD同时联机分析且不降速；

1.5.3 电子图像分辨率高达8192*8192，EBSD面分布图分辨率高达4096*4096；

1.5.4 动态自动背景扣除技术，探测器参数自动优化。切换样品、更换分析位置、以及EBSD探测器伸缩、倾转后均无需重新扣除动态背景或重新优化；

1.5.5 能对所有对称性（从三斜到立方）晶体材料的EBSP花样进行自动化的标定，且各相的反射面可以独立选择，可利用衍射带边缘或中间进行识别。可识别菊池带宽度以区分晶体结构相似的相。

1.5.6 配置自带数据库及ICSD海量晶体学数据库，数据容量不小于5万种；

1.5.7 采用最优化的Hough变换，多条带标定方法（最多可以用12条菊池带进行标定），根据平均角度偏差MAD等进行完全自动化的菊池带识别和花样标定；

1.5.8 配有专用的高精度标定模式，实现更高角度分辨率的标定；

1.5.9 配有64位EBSD数据后处理软件包，和采集软件同一风格，支持10种语言界面，可处理包含多至6400万像素的单个文件，包含且不限于如下功能：

（1）数据修饰；（2）晶粒统计（尺寸、形态等）；（3）晶界分析；（4）应变分析；

（5）极图和反极图；（6）校准EBSD分析时由于漂移导致的与电子图像产生的失真；

1.6 配有TKD专用模式及TKD样品台一个；

1.7 配有专业EBSD后处理离线软件加密狗一个。