大光敏面锗光电二极管
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技术参数、

Specifications


探测材料

Ge

响应波长

800 - 1800 nm

峰值波长

1550 nm (Typ.)

响应度

0.85 A/W (Typ.)

光敏面直径

19.6 mm2 (?5 mm)

上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)

220 ns / 220 ns (Typ.)

NEP, Typical (1550 nm)

4.0 x 10-12  W/Hz1/2 (Typ.)

暗电流 (5 V)

60 μA (Max.)

电容(10 V)
电容(0 V)

1800 pF (Max.)
16000 pF (Max.)

分流电阻

4000 Ohm (Typ.)

封装形式

TO-8


Max Ratings


最大击穿打压

10 V

操作温度

-55 to 60 °C

存储温度

-55 to 60 °C

注1：典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明

2.NEP指定在光伏模式下

光谱响应曲线：




引脚定义

 

推荐电路：


订购型号：

型号： IRD-GE-05  单价：1950元/片 库存数量：2只

描述：

光谱响应范围:800-1800nm

直径:5mm;

响应度@1550nm: 0.85 A/W

2Pin脚

 


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