BAYOP可饱和吸收体SESAM参数指标

BATOP从事的专业领域包括：低温分子束外延技术，介质溅射镀膜，晶圆加工和芯片安装技术。在过去几年里， BATOP 已成为一个用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的世界先进的供应商。

可饱和吸收产品集合了可饱和吸收镜(SESAM™)，可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。

迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到3μm的常用激光波长范围。另一个产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。

BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。太赫兹光电导天线的激发波长为800nm到1550nm之间。

主要产品：

• SAM半导体可饱和吸收镜

• RSAM共振可饱和吸收镜

• SOC可饱和吸收耦合输出镜

• SANOS可饱和噪声去除腔

• SA可饱和吸收体

• PCA太赫兹光电导天线

SESAM，RSAM和SOC是用于稳定的DPSS被动锁模激光器较简单的锁模元件，封装方式有裸片。粘附在散热基底和光纤尾端等方式。

一、锁模器件

 关键指标：

a. 中心波长（λ）：800-3000nm（根据需求选择合适波长）

b. 吸收率（A0）：0.6%-70%（根据需求选择合适吸收率）

c. 弛豫时间（τ）：500fs-124ps（根据需求选择合适弛豫时间）

d. 封装方式（X）：（根据需求选择如下合适封装方式）

 X=4.0-0，无封装的裸片，单片，尺寸4mm x 4mm

 X=1.0b-0，无封装的裸片，5片装，单片尺寸1.0mm x 1.0mm

 X=1.3b-0，无封装的裸片，5片装，单片尺寸1.3mm x 1.3mm

 X=12.7g-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片粘在直径12.7mm的铜柱中央/边缘

 X=25.0g-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片粘在直径25.0mm的铜柱中央/边缘

 X=25.4g-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片粘在直径25.4mm的铜柱中央/边缘

 X=12.7s-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直径12.7mm的铜柱中央/边缘

 X=25.0s-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直径25.0mm的铜柱中央/边缘

 X=25.4s-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直径25.4mm的铜柱中央/边缘

 X=25.0w-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直径25.0mm的水冷铜柱中央/边缘

 X=25.0h-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直径25.0mm的水冷铜柱中央/边缘（高功率应用）

 X=FC/PC-HI 980，安装在1米长HI 980（光纤可选）光纤一端，接头类型FC/PC

 X=FC/APC-HI 980，安装在1米长HI 980（光纤可选）光纤一端，接头类型FC/APC  

4.SANOS可饱和体噪声去除腔

SANOS可饱和体噪声去除腔的工作原理是：利用可饱和吸收体对弱的噪声光有很小的反射率，对强的输出光具有很大的反射率，这样光通过SANOS可饱和体噪声去除腔后，就能起到噪声去除的作用。

可用于再生放大和脉冲选择以后的噪声光去除。

二、1064nm 微片

组成：半导体可饱和吸收镜+Nd:YVO4激光晶体

指标参数：