SI-F80R系列 分光干涉式晶片厚度计技术特点

【技术特点】-- SI-F80R系列 分光干涉式晶片厚度计

采用近红外 SLD，即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异，也可实现准确的生产线上测量。

产品特性

• 即使已贴附背面研磨带也可测量晶片厚度

• 大幅降低图案的影响

• 可在生产线上进行测量

• 自动映射整个晶片的厚度分布

精确的只测量晶片厚度

SI-F80R 系列使用近红外 SLD，可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上 BG（背磨）胶带，也可精确测出晶片厚度。

【技术特点对用户带来的好处】-- SI-F80R系列 分光干涉式晶片厚度计

【典型应用举例】-- SI-F80R系列 分光干涉式晶片厚度计