在二硫化钼等过渡金属硫族化合物光电器件的研究中，调控及增强其发光性能尤其重要。为了实现这一目的，必须获得高质量的单层二硫化钼并充分发掘其内禀荧光性能。本文采用热硫化法使预蒸镀的三氧化钼薄膜在高温硫蒸气中快速地转化为单层二硫化钼。这样获得的二硫化钼具有很强的光致发光性能，强度比化学气相沉积的二硫化钼高一个数量级。荧光光谱随温度和功率的变化表明了硫空位的存在，反映了发光过程的自由-束缚激子复合类型。此外，真空中的荧光强度相比于空气中大幅降低，这表明空气条件下的高荧光强度与硫空位处的分子吸附有关。时间分辨荧光光谱也揭示了硫空位存在时的多通道复合特点。本工作合成了高质量单层二硫化钼，并分析了硫空位对其荧光光谱的影响，对于探究二维纳电器件和光电器件具有重要意义。
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