2008年德国慕尼黑大学的Dieter Gross等人通过荧光技术，证明了TypeII型CdTe和CdSe半导体纳米晶复合材料具有高效的电荷分离效率，同时间接的证明了Type II型异质结的电荷分离方向。（NanoLett., 2008, 8 (5), pp 1482–1485）
2010年在亥姆霍兹柏林中心的Thomas Dittrich帮助下，Dieter Gross等人通过表面光电压技术直接证明了Type II型CdTe和CdSe半导体纳米晶复合材料的光生电荷分离方向，该研究结果发表在JACS上。（J. AM. CHEM. SOC.2010, 132, 5981–5983）
在该论文中，作者采用层层自组装（layer-by-layerself-assembly，LBL）法，制备了不同厚度的CdTe和CdSe半导体纳米晶薄膜。表面光电压谱及其相位谱结果表明：当CdTe纳米晶层组装在薄膜表面时，光生空穴累积在薄膜表面；当CdSe纳米晶层组装在薄膜表面时，光生电子累积在薄膜表面。也就是说，当CdTe和CdSe半导体纳米晶组装在一起之后，光生电子由CdTe转移到CdSe，光生空穴由CdSe转移到CdTe。
表面光电压技术直接证明了这种Type II型半导体间的电荷传输方向。
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