1. 多晶硅提纯：
先是沙子(SiO2)与碳在高温下(2000C)置换反应，生成硅和CO2。此时的硅为冶金级别的(MGS: Metallic Grade Silicon)，也就是粗制的多晶硅。
然后再用MGS的硅与HCl在300C下反应生成TCS(SiHCl3)，然后经过过滤和冷凝可以得到纯度为99.99999%的液态SiHCl3/TCS，这样就完成了提纯(purifier)的动作。
接下来用提纯的TCS与H2在1100C下反应，生成电子级别的(EGS: electric grade silicon)多晶硅和HCl，注意此时虽然有高温但是还是多晶硅。(用H2通入液态的SiHCl3里面，所以H2既作为反应气体，也作为SiHCl3的携带气体/Carrier gas)
2. 单晶硅制作：
因为晶体的生长一定需要有一个子晶(seed)，需要沿着子晶的晶向继续生长，所以我们需要有个坩埚(Quartz Crucible)盛装要熔融的多晶硅，待多晶在坩埚中熔化后，再将子晶放入坩埚中匀速转动并且向上提拉，则熔融的硅会沿着子晶晶向长成一个圆柱体的硅锭(ingot)。这种方法就是现在一直在用的CZ法(Czochralski)，也叫单晶直拉法。当然还有一种方法叫区熔法(FZ, Floating Zone)，以前在6寸时候见过，据说因为没有坩埚了，所以因坩埚引入的杂质比较少，但价格比较昂贵，且无法做大尺寸，仅用于高压器件制作。
如何从硅锭到每一片硅片？
1. 切边/切槽:我们的wafer都有个Notch (6寸是平边/flat)，这个是在ingot做好的时候就要切好的，切成片就没法做了。这个notch或平边不是随便切的哦，它必须沿着<110>向切，所以Wafer规格上规定Notch orientation为110+/-1deg。还有notch的深度以及平边大小都是有SEMI M1规定的，6寸用的平边一般有两种47.5mm和57.5mm两种，取决你的机台。而8寸的wafer的notch都是统一的深度约1~1.25mm，角度~90deg，半径0.9mm等。(平边和notch都是用来对位用的，但是平边比较浪费。)
2. 切割硅锭(ingot)成wafer：这就跟切黄瓜一样了，O(∩_∩)O哈哈~。不一样的地方在于，为了high throughput，我们采用了线切割(一次可以切很多片)。还有一个与切黄瓜不一样的是，我们都是圆形内凹刀口，刀子转动但硅锭/ingot只平移不做转动，因为内凹的刀口接触面积大，ingot不动的原因是怕刀口碰到notch。(发挥下想象力吧~~~)。每片wafer的厚度由两个刀片之间的距离决定，一般4寸为525mm，5寸是625mm，6寸为675mm，8寸为725mm，12寸为775mm。
3. 倒角(Edge rounding)：刚切好的wafer边缘一定是尖锐的柱状体，这个时候稍微碰一下可能就磕碎了，因为太脆弱了，所以需要把它磨成圆的减少应力。转动wafer在一个固定的槽子里面磨就行，类似磨刀。
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