半导体参数测试仪是一种用于工程与技术科学基础学科领域的仪器，于2016年12月08日启用。
技术指标
1.小电流i-v ： 超低漏电流（fA），最 大电压200V，最大电流1A； 2.高电压I-V ： 最大电压1000V 3.通用I-V ： 适合于大多数参数测试 4.c-v单元： 能够在1MHz下测量10pF电 容，准确度达1%。
主要功能
自动完成多路硅微条探测器中多条探测单元的I-V特性、C-V特性、击穿特性等参数测量，无需人工一点一点的测量。其主要任务是快速高效地甄别多路硅微条探测性能，从而优化工艺，提高探测器性能，更好的服务于核物理实验。
首页
