场发射真空传感器是采用MEMS加工工艺研制一种新型的基于硅尖阵列场发射原理的微型真空传感器。通过理论分析， 确立了该种传感器中硅尖场发射电流与真空度的关系。并利用干法刻蚀工艺， 在硅片上制作了高3.2μm， 曲率半径小于70nm的200 ×42硅尖阵列。保持阳极与硅尖距离为1μm的情况下， 可以观察到阳极电压为10V左右时开始有明显的场发射电流。
利用硅尖阵列场发射电流大小随真空度变化而变化的现象， 研制了一种基于硅尖阵列场发射原理的场发射真空传感器。利用MEMS加工工艺制作出传感器样机， 并搭建测试系统测试其特性。通过实验发现， 随着真空度的提高， 传感器输出电流也会随之增大， 而且真空度越高输出电流越大， 分辨率、灵敏度越高。
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