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致力于为分析测试行业奉献终身
技术指标
电子束蒸发源：8kW，2MHz 晶圆尺寸：最大6英寸 真空度：10E-7Torr 蒸发物料：Ti、Au等 典型沉积速率：0.1-10A/s 样品台最大倾斜角：±45° 样品台工作距离：40-60cm。
主要功能
高真空电子束蒸发镀膜仪利用经过磁场偏转的高能量电子束对蒸发物料进行电子加热，蒸发材料挥发后沉积到样品表面，沉积成薄膜材料。 该设备可用于Ti、Au的高质量薄膜的制备，广泛应用于科学研究与半导体制造领域。
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