东京大学和东京工业大学在合作研究中发现，通过在碳化硅（SiC）晶体基板表面制作单一原子层的石墨烯，然后向其上面蒸镀钙（在真空中层积原子）并进行加热处理，制作出的样品在冷却后具备超导特性。相关论文发表在美国化学学会杂志《ACS Nano》上。
研究人员认为，这一超导现象是由于钙原子直接结合到SiC晶体表面，使原来单原子层的石墨烯变成双原子层，而钙原子穿入到两层石墨烯的夹层之间，从而产生超导性。这也表明，除了正常金属电子态之外，石墨烯狄拉克粒子电子态以及特异电子态“范霍夫奇点”也与超导特性的形成有关。该研究成果意味着，在作为功率元件而备受关注和研究的SiC基板上可制作出石墨烯二维超导体。
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