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据介绍,碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,饱和漂移速度高,临界击穿场强大,热导率高等诸多特点,主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET等器件。在绿色照明领域,用碳化硅衬底制作的LED性能远优于蓝宝石衬底。专家表示,碳化硅衬底需求将在短期内迎来一个爆发增长期。
该项目得到国家重大专项和“863”计划的支持。