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佳能光刻机共享应用

2024.5.30
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zhaoqisun

致力于为分析测试行业奉献终身

仪器名称:佳能光刻机
仪器编号:80424600
产地:日本
生产厂家:日本
型号:PLA-500
出厂日期:198004
购置日期:198004


所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺
放置地点:微电子所新所一楼微纳平台光刻间
固定电话:
固定手机:
固定email:
联系人:窦维治(010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn)
付玉霞(010-62781090,15210647296,fuyuxia@mail.tsinghua.edu.cn)
分类标签:光刻 微纳加工 半导体 集成电路 MEMS
技术指标:

最小分辨率约2μm;套刻精度±2μm;掩膜版尺寸5英寸X5英寸;对准间隙0~98μm;曝光间隙0~48μm;操作杆可扫视范围X方向10mm、Y方向10mm。

知名用户:吴华强(微电子所)、伍晓明(微电子所)、钱鹤(微电子所)、陈炜(微电子所)、邓宁(微电子所)、刘建设(微电子所)、刘泽文(微电子所)、张志刚(微电子所)、杨秩(微电子所)、王敬(微电子所)、荆高山(精仪系)、许军(微电子所)、谢丹(微电子所)、严清峰(化学系)、崔天宏(精仪系)、严小兵(中科院微所)、王喆垚(微电子所)、王晓红(微电子所)。
技术团队:

吴华强、伍晓明、刘朋、付玉霞、鲁勇、刘爱华、窦唯志、张忠会、李志东

功能特色:

该设备为一台半自动接触式曝光机,需与其余辅助设备配套完成整个光刻工艺。光刻工艺的主要步骤分为:烘箱将硅片水分去除"熏表面接触剂"匀胶机涂覆光刻胶"热板对胶进行前烘"曝光机曝光"热板进行中烘"显影"显微镜进行图形检查"使用烘箱进行后烘。该设备对准曝光方式可在接近式、硬接触和软接触模式之间进行转换。可用的光波长度由g线、h线和i线合成;积分光量计的设定量能以0.1为单位在0~59.9之间变动;带硅片自动/手动供给选择开关。本设备具备自动传片功能,供有平边的圆片选择;手动传片功能供无平边或透明的圆片选择。另外,具备自动找平功能,从而不依赖于人的加工水平。本设备具有操作简单、工艺稳定、加工效率高等优点。

目前,该设备可做的光刻工艺有:曝AZ601正性光刻胶厚1.5微米~2.5微米、NR9-3000P负性胶厚2.0~2.7微米用于刻蚀工艺;NR9-3000PY负性胶厚2.0~2.7微米用于剥离工艺;NR9-6000PY负性胶厚5.0~5.7微米用于剥离工艺;AZ4620正性光刻胶厚4.5~8微米用于刻蚀工艺;双层胶用于剥离工艺等。

样品要求:

单片式;载片尺寸为4英寸圆片。


预约说明:

实验室的设备采用网上预约的方式、以先约先用为基本原则

取消预约需提前2个小时通过网上取消预约

项目名称计价单位费用类别价格备注
上机预约元/小时自主上机机时费400.0
送样元/小时测试费400.0


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