| 仪器名称： | PICOSUN 原子层沉积系统 |
| 仪器编号： | 16041497 |
| 产地： | 中国 |
| 生产厂家： | PICOSUN |
| 型号： | R200 Advanced |
| 出厂日期： | 201709 |
| 购置日期： | 201612 |
| 所属单位： | 集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺 |
| 放置地点： | 微电子所新所一楼109 |
| 固定电话： | |
| 固定手机： | |
| 固定email： | |
| 联系人： | 曹秉军（010-62784044,13910803625,caobj@mail.tsinghua.edu.cn） 窦维治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn） |
| 分类标签： | 集成电路 半导体 微纳加工， CVD 高K |
| 技术指标： | 4”硅片生长重复性及厚度不均匀性≤±2%； 氧化铝的介电常数>8.0，击穿电场>9MV/cm； 氧化铪的介电常数>18.0，击穿电场>3MV/cm。 最高温度 500℃。 |
| 知名用户： | 吴华强 微电子所；王谦 微电子所； |
| 技术团队： | 曹秉军 |
| 功能特色： | 可在4”硅片上沉积氧化物薄膜，目前可以通过水、臭氧以及Plasma等方式沉积氧化铝、氧化钛、氧化铪、氧化锆、铪锆氧薄膜。 |
样品要求：
单片操作，硅片尺寸：4寸、6寸
预约说明：
根据实验室要求预约设备使用。在预约设备生长时，应提前跟工艺工程师联系，包括提供生长参数，提前送样，并及时取样。如果需要更换使用时间请按照要求提前通知，没有提前通知的按照实验室相关规定处理。
| 项目名称 | 计价单位 | 费用类别 | 价格 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 原子层沉积系统 ALD -机时费 | 元/小时 | 自主上机机时费 | 800.0 | |
| 原子层沉积系统 ALD -送样测试费 | 元/小时 | 测试费 | 800.0 |
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