半导体制造工艺
电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，碳化硅与氮化镓材料扮演关键性角色,有效降低能耗并提升动力转换效率。牛津通过原子层沉积(ALD)与原子层刻蚀(ALE)技术优化了器件工艺。ALD工艺出色的 AlN/Al2O3/SiO2 钝化薄膜有效降低器件中的阈值电压漂移。而ALE低损伤与原子等级的厚度精准控制更对纳米等级栅槽的形貌达成完美的诠释。
应用案例
全自动刻蚀和沉积设备在 3D Sensor 批量生产中的应用
原子层沉积（ALD）与原子层刻蚀（ALE）使碳化硅与氮化镓功率器件更高效
提供 MicroLED 芯片制造解决方案
虚拟实境 ARVR 光学衍射组件制造技术
筛选低阈值 FET，用于低功耗低温电子器件
半导体结构与表征
摩尔“定律”在过去 50 年间持续推动半导体行业向器件小型化趋势发展，对半导体材料、制造工艺和检测技术提出了更高要求。EDS 和 EBSD 技术已被广泛应用于半导体器件的微区结构表征工作，如异物分析、无损膜厚测量、晶粒尺寸分析、应变表征、位错类型及密度分析等。
应用案例
研究淀积金属薄膜的晶粒尺寸及均匀性、织构
分析化合物半导体外延层中晶体学缺陷的密度
对半导体器件中的关键层进行高分辨率元素成像
快速分析不同位置薄膜生长表面形貌，提供后续工艺调整方向
检测刻蚀前后表面微结构以及表面粗糙度的变化
检测半导体晶圆的应力分布
GaN 晶体中的应力场 3D 拉曼成像
多功能328mm焦长光谱仪，配置UV-NIR探测器，可通过拉曼或者光致发光的方法对晶圆进行应力，翘曲以及缺陷检测
联系方式：400 678 0609
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