磷化铟单晶 是非强制性国家标准,您可以免费下载预览页
根据这个思路,中科院半导体所的有关科研人员采取了三个步骤来制备非掺杂半绝缘磷化铟衬底:首先用液封直拉法拉制高纯低阻非掺杂磷化铟单晶(表面为低阻),然后将其切割成一定厚度的晶片并封装在石英管内,最后在合适的气氛条件下进行高温退火处理。研究人员分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行了数十次退火比较实验。...
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