找不到引用T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 的标准
掺Mg量较小时,GaN∶Mg单晶膜呈现N型导电,得不到P型层;掺Mg量过大时,会形成与Mg有关的深施主,由于深施主的补偿作用,得不到高空穴浓度的P型GaN。二次离子质谱法可以分析从氢到铀的所有元素及同位素,具有很高的灵敏度,是检测镁掺杂量的一个重要手段。为了促进国内相关技术的提升,并使我国二次离子质谱定量分析技术规范化、标准化,特制定《氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法》。...
Element GD Plus辉光放电质谱仪自问世以来,在半导体材料检测领域发挥了无可替代的作用。在高纯材料检测中,为了实现高纯材料中痕量杂质的低检出限检测,选择合适的分辨率检测不同的杂质元素,同时尽可能降低质谱干扰的浓度无疑是非常必要的。...
针对半导体行业需求,可实现高纯(≥5N)铜、铝、钛、钽、钼等高纯溅射靶材中70种以上杂质元素快速检测;硅、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等基材从原料至晶圆的全元素杂质检测;SiC等外延片镀层化学成分及杂质含量分布。...
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