GB/T 12963-2022
电子级多晶硅

Electronic-grade polycrystalline silicon

GBT12963-2022, GB12963-2022


GB/T 12963-2022 发布历史

GB/T 12963-2022由国家质检总局 CN-GB 发布于 2022-12-30,并于 2023-07-01 实施。

GB/T 12963-2022 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

GB/T 12963-2022 电子级多晶硅的最新版本是哪一版?

最新版本是 GB/T 12963-2022

GB/T 12963-2022 发布之时,引用了标准

  • GB/T 14264 半导体材料术语*2024-04-25 更新
  • GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
  • GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
  • GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
  • GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法*2023-08-06 更新
  • GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
  • GB/T 1558 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法*2023-12-28 更新
  • GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
  • GB/T 24581 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
  • GB/T 24582 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法*2023-08-06 更新
  • GB/T 29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程*2023-08-06 更新
  • GB/T 35306 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法*2023-08-06 更新
  • GB/T 37049 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
  • GB/T 4059 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
  • GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法
  • GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

* 在 GB/T 12963-2022 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。

GB/T 12963-2022的历代版本如下:

 

本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅(以下简称“多晶硅”)。

GB/T 12963-2022

标准号
GB/T 12963-2022
别名
GBT12963-2022
GB12963-2022
发布
2022年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 12963-2022
 
 
引用标准
GB/T 14264 GB/T 14844 GB/T 1550 GB/T 1551 GB/T 1553 GB/T 1557 GB/T 1558 GB/T 24574 GB/T 24581 GB/T 24582 GB/T 29057 GB/T 35306 GB/T 37049 GB/T 4059 GB/T 4060 GB/T 4061
被代替标准
GB/T 12963-2014

GB/T 12963-2022相似标准


推荐

纯度99.999999999%电子多晶硅量产

电子多晶硅材料是集成电路的关键基础材料,过去中国市场上的集成电路用多晶硅材料基本完全依赖进口。电子多晶硅是纯度最高的多晶硅材料。相对于太阳能级多晶硅99.9999%纯度,电子多晶硅的纯度要求达到99.999999999%。5000吨的电子多晶硅中总的杂质含量相当于一枚1元硬币的重量。  ...

纯度99.999999999%电子多晶硅量产

电子多晶硅材料是集成电路的关键基础材料,过去中国市场上的集成电路用多晶硅材料基本完全依赖进口。电子多晶硅是纯度最高的多晶硅材料。相对于太阳能级多晶硅99.9999%纯度,电子多晶硅的纯度要求达到99.999999999%。5000吨的电子多晶硅中总的杂质含量相当于一枚1元硬币的重量。  ...

我对欧盟多晶硅发起双反调查 不含电子多晶硅

  商务部今天对外发布公告,决定即日起对原产于欧盟的太阳能级多晶硅进行反倾销和反补贴立案调查。   此次调查涉及产品的英文名称为Solar-Grade Polysilicon,归在《中华人民共和国进出口税则》:28046190,该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子多晶硅不在本次调查产品范围之内。...

解决方案 | LabMS 3000 ICP-MS测定电子多晶硅中基体金属杂质含量

前言电子多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响下游晶圆制造产品质量,所以对其金属杂质含量的控制至关重要。本实验参照《GB∕T 37049-2018 电子多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》,采用LabMS 3000s ICP-MS测试电子多晶硅中基体金属杂质含量。...


GB/T 12963-2022 中可能用到的仪器设备


谁引用了GB/T 12963-2022 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号