找不到引用T/CIE 121-2021 逆导型IGBT的热阻测试方法 的标准
总的来说,MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。*免责声明:本文由作者原创。...
1.应用范围: ①各种三极管、二极管等半导体分立器件,包括:常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率 IGBT、MOSFET、LED 等器件; ②各种复杂的 IC以及 MCM、SIP、SoC 等新型结构 ; ③各种复杂的散热模组的热特性测试,如热管、风扇等 。 ...
采用非破坏性的测量方法,可以测量几乎所有的半导体器件的热学性能,包括:1、分离或集成的双极型晶体管、常见的三极管、二极管和半导体闸流管、以及大功率IGBT、MOSFET等器件;2、大功率LED:MicReD专为LED产业开发的选配件TERALED可以实现LED器件的光热一体化测量;T3ster还可以测量整个LED灯具的热阻;3、任何复杂的IC器件(利用其内置的基板二极管);4、具有单独加热器和温度传感器的热测试芯片...
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