经过对比测试和分析发现,在磷化铁气氛下退火制备的半绝缘磷化铟晶片不仅缺陷少,而且具有良好的均匀性。 为了进一步研究这种退火衬底对相邻外延层的实际影响,研究人员使用分子柬外延技术分别在原生掺铁的和磷化铁气氛退火制备的半绝缘磷化铟衬底上生长了相同的 InAlAs 外延层。测试结果表明后者更有利于生长具有良好结晶质量的外延层。...
一直以来研究人员面临的挑战是如何将Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体同现有的生产硅基设备的低成本处理技术相结合,因为硅和Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体之间存在着巨大的晶格失配度,让这些化合物半导体直接在硅衬底上进行异质外延生长面临着巨大挑战,并可能导致产品出现大量缺陷。 ...
以硅片作衬底, MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓,多晶砷化镓,镓铝砷--砷化镓异质结,金属-半导体砷化镓,金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。 砷化镓材料的制备类似硅半导体材料的制备,有晶体生长法,直接拉制法,气相生长法,液相外延法等。由于镓比较稀缺,砷有毒,制造成本高,此种太阳电池的发展受到影响。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号