本标准适用于n型、P型砷化镓和磷化铟单晶及高阻衬底外延层,载流子浓度在1×lO^(12)~5×10^(15)cm^(-3)范围的半导体材料的补偿度的测试分析。原则上也适用于其他Ⅲ-V族化合物材料补偿度的测试分析。
SJ 3244.5-1989由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1989-03-20,并于 1989-03-25 实施。
SJ 3244.5-1989 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
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