SJ 20714-1998
砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法

Test method for sub-surface damege of gallium arsenide polished wafer by X-ray double crystal diffraction


SJ 20714-1998 发布历史

本标准规定了砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法。 本标准适用于经过化学、机械单面和双面抛光的砷化镓晶片亚损伤层的定性测量。

SJ 20714-1998由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1998-03-18,并于 1998-05-01 实施。

SJ 20714-1998 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

SJ 20714-1998的历代版本如下:

  • 1998/03/18 SJ 20714-1998 砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法

SJ 20714-1998



标准号
SJ 20714-1998
发布
1998年
发布单位
行业标准-电子
 
 
适用范围
本标准规定了砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法。 本标准适用于经过化学、机械单面和双面抛光的砷化镓晶片亚损伤层的定性测量。

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