SJ 966-1975
硅开关二极管反向击穿电压的测试方法

Methods of measurement for reverse breakdown voltage of silicon switching diodes

2010-02

标准号
SJ 966-1975
发布
1976年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 966-1975
 
 

SJ 966-1975相似标准


推荐





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号