找不到引用SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 的标准
目前,用于X射线实时成像技术的数字化平板探测器主要包括两种:1)基于闪烁体的间接成像技术(利用闪烁体先将高能量X射线转换成低能量的紫外或可见光光子,再由光电探测器进行探测);2)基于半导体的直接成像技术(利用半导体的光电导特性直接将X光光子转换成电荷)。...
-01-0126GB/T 4937.15-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分:通孔安装器件的耐焊接热2019-01-0127GB/T 4937.17-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照2019-01-0128GB/T 4937.18-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分:电离辐照(总剂量)2019-01-0129GB/T 4937.19-2018...
在轨运行时间要求器件抗总剂量能力长期(多于5年)大于100Krad(Si)中期(3至5年)10至100Krad(Si)短期(少于3年)小于10Krad(Si)按上表选择长期运行抗总剂量辐射的半导体器件,其抗辐射总剂量的能力应大于100krad(Si),当RDM取2时,则应选RHA为F等级的器件。当所选器件无RHA要求时,应进行辐射总剂量评估试验(RET)以摸清器件的抗总剂量辐射的能力。...
此外,柔性闪烁体屏兼容复杂结构应用条件下的非均匀X射线,可缓解X射线剂量在大面积物体上的空间分布不均匀导致的渐晕问题,从而确保准确高效的疾病筛选。尽管柔性闪烁体屏具有巨大的应用潜力,但灵敏的柔性X射线闪烁体屏幕的发展仍然有限。图1....
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