硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法, 您可以免费下载预览页
上述方案都需要在普通硅衬底上外延生长高质量的多层GeSi/Si结构,并在高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀GeSi或Si,最终在沟道中选择形成堆叠纳米线而在源漏中保持Fin结构。该技术在集成电路大规模制造中存在许多潜在的挑战: 须生长高质量、接近体硅质量无缺陷的多层GeSi/Si外延层;由于Ge元素在最前道集成步骤中引入,给后继工艺带来较低的工艺温度窗口限制以及较多的Ge原子沾污机会。 ...
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