SAE J1752/3-2017由美国机动车工程师协会 US-SAE 发布于 2017-09-22。
SAE J1752/3-2017 集成电路辐射发射的测量 EM/Wideband TEM(GTEM)Cell Method; TEM 小室(150 kHz 至 1 GHz)、宽带 TEM 小室(150 kHz 至 8 GHz)的最新版本是哪一版?
最新版本是 SAE J1752/3-2017 。
该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上,该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口(称为墙壁端口)上。测试板不像常规使用那样位于电池内,而是成为电池壁的一部分。该方法适用于任何经过改造以合并壁端口的 TEM 或 GTEM 单元;然而,测得的射频电压受到隔膜与测试板(墙)间距的影响。该程序是使用隔膜与壁间距为 45 mm 的 1 GHz TEM 单元和端口区域上隔膜与壁平均间距为 45 mm 的 GTEM 单元开发的。其他电池可能不会产生相同的光谱输出,但可用于比较测量,但受其频率和灵敏度限制。
100 001 个点的杂散发射测量,最多 20 段1 MHz 至 20 MHz 的外部基准,步长为 1 HzLAN 接口 100BaseT (1 Gbit)16 Msample I 和 Q 内存R&S FSQ8 是所有开发和生产测量任务的解决方案。...
MHz < f ≤ 6 GHz,电平 ≤ 13 dBm +10 dBm,偏移 > 10 kHz 1000 MHz±250 MHz带外部 I/Q 输入,I/Q 宽带启用1 MHz ≤ f ≤ 4 GHz±25% 的载波频率f > 4 GHz±1 GHz特定射频调制带宽中的调制频率响应带内部基带 I/Q,I/Q 宽带启用< 1.0 dB,< 0.3 dB(测量值)I/Q 基带发生器信号带宽标配120...
,xugao@tsinghua.edu.cn)分类标签:集成电路技术指标:频率范围:250kHz-31.8GHz,频率分辨率: 0.01Hz ,1GHZ时输出功率: -130dBm至+21dBm,1GHz时,20KHz频偏处的相位噪声:-143dBc/Hz, 频率转换:<16ms, 1GHz时的谐波:≤28至≤-55dBc, IQ内部/外部调制带宽 80MHz至4GHz,1GHz时的非谐波:≤50至...
至110GHz频率范围的谐波混频器;5) 提供一套50GHz至75GHz、75GHz至110GHz频率范围的功分器;6) 互相关模式下相位噪声灵敏度(相关次数100):–176dBc/Hz@1GHz频率点&10 kHz频偏;7) 带两个外部谐波混频器的互相关模式下的相位噪声灵敏度:-129dBc/Hz@50GHz至75GHz频率范围&10kHz频偏;-126dBc/Hz@75GHz至110GHz频率范围...
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