本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法,即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率,用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时,这种方法对于厚度在20nm~200nm 之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间,可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率,从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。
GB/T 41064-2021由国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 发布于 2021-12-31,并于 2022-07-01 00:00:00.0 实施。
GB/T 41064-2021 在中国标准分类中归属于: G04 基础标准与通用方法,在国际标准分类中归属于: 71.040.40 化学分析。
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