ASTM E1162-11(2019)
二次离子质谱法(SIMS)中溅射深度剖面数据报告的标准实施规程

Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)


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ASTM E1162-11(2019)

标准号
ASTM E1162-11(2019)
发布
2019年
发布单位
美国材料与试验协会
当前最新
ASTM E1162-11(2019)
 
 
引用标准
ASTM E673
1.1 本实践涵盖了描述和报告仪器、样本参数、实验条件和数据缩减程序所需的信息。 SIMS 溅射深度剖面可以使用各种主束激发条件、质量分析、数据采集和处理技术来获得 (1-4)。2 1.2 局限性 — 这种做法仅限于对信息进行平均的传统溅射深度剖面。在样本平面上的分析区域上。允许分析区域内二次离子横向空间分辨率的离子微探针或显微镜技术(例如图像深度分析)被排...

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