IEC TS 62607-5-4:2022
纳米制造.关键控制特性.第5-4部分:用电子能量损失光谱法（EELS）测量纳米材料的能带隙
Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 5-4: Energy band gap measurement of nanomaterials by electron energy loss spectroscopy (EELS)
IEC TS 62607-5-4:2022相似标准
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MoS2边缘态以及载流子扩散和解离动力学研究获进展
结合电子能量损失光谱（EELS）和第一性原理计算，研究预测了亚带隙边缘态吸收覆盖范围为1.23 eV至1.78 eV，同时揭示了边缘态粒子和与激子的竞争，由于纳米尺寸，这些纳米片具有高度暴露的边缘，约占片面积的11%，便于边缘状态的直接瞬态吸收（TA）研究。在1.87 eV能量激发下，光激发激子首先通过带间填充并很快在约0.40 ps内解离成边缘电子态过渡。...
辉钼有望代替硅成为新一代半导体材料
如果带隙不太小也不太大，某些电子就能跳过带隙，能更有效控制材料的电子行为，开关电路更容易。 辉钼单分子层内部天然就有较大的带隙，虽然它的电子流动性较差，但在制造晶体管时，用一种氧化铪介质栅门就可使室温下单层辉钼的运动性大大提高，达到富勒烯纳米带的水平。富勒烯没有带隙，要想在上面人为造出带隙非常复杂，还会降低其电子流动性，或者需要高电压。...
新碳纳米管天线可收集更多太阳光
空穴和电子之间能量层级的不同被称为能带隙。 新天线内层包含的碳纳米管的能带隙较小；外层碳纳米管的能带隙更高。这一点很重要，因为激子可能从高能带隙流向低能带隙。这意味着，外层的激子会流到内层。因此，当光线照射物体时，所有激子都会流到纤维绳的中心，并聚集在那儿。 斯特拉诺团队表示，他们将在一个半导体物质的核心周围搭建这样的天线来组装一个太阳能电池。...