本文由“国际电子战”微信公众号(ID:EW21cn)&“电科防务研究”微信公众号(CETC-ETDR)授权转载,感谢编译\述评:王晓东 王燕DARPA新型半导体材料研究的主要目标是实现高速和高输出功率,但最终目的是提升使用电磁频谱的技术能力。DAPRA长期以来一直从事新材料相关技术研究,包括硅基互补金属氧化物半导体(CMOS)和III-V材料。...
与元素周期表内的第III至第V类半导体材料一样,如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)一样,GaN半导体比硅和碳化硅(SiC)具有高的多的电子迁移率。GaN还验证了极端的物理稳固性、辐射电阻、高压生存能力,以及非常高的热稳定性。因此,同其他固态技术相比,GaN功率电子器件在PA应用方面展现了惊人的功率密度和高功率附加效率。...
演示最宽禁带晶体管 桑迪亚实验室的研究人员曾演示了一款最大禁带宽度的晶体管——高电子迁移率晶体管,研究结果发表在《应用物理快报》。此外,还在《电子快报》发表两篇文章,分别分析了GaN二极管和AlGaN二极管的特性。Kaplar表示:“这三篇文章只是实现更紧凑、更高效电源转换器工作的一部分。研究人员非常高兴能够在半导体材料和器件物理特性研究方面有所进展。”...
2010年,空军启动基于网络化软件定义架构(SDA)的认知干扰机与大功率高效射频数模转换器(HiPERDAC)项目以及无源射频识别环境(PRIDE)、频谱战评估技术工程研究(SWEATER)、反电子高功率微波先进导弹(CHAMP)等项目,发展有源和无源目标威胁自动感知识别、实时评估和自适应对抗技术与能力;美空军正在谋求发展“穿透型电子攻击”(PEA)平台,重建本军种防区内电子战能力,拟在2030-2035...
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