GB/T 34899-2017由国家质检总局 CN-GB 发布于 2017-11-01,并于 2018-05-01 实施。
GB/T 34899-2017 在中国标准分类中归属于: L55 微电路综合,在国际标准分类中归属于: 31.200 集成电路、微电子学。
GB/T 34899-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于拉曼光谱法的微结构表面应力测试方法的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 34899-2017 。
* 在 GB/T 34899-2017 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。
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此时,拉曼峰值频率的移动量与薄膜内部残余应力的大小具有线性关系,即Δδ=ασ或者σ=kΔδ,Δδ是薄膜拉曼峰值的频移量,σ是薄膜的残余应力,k和α称为应力因子。图 3 拉曼测量系统示意图图 4 拉曼光谱测试晶圆的示意图2. 多晶硅薄膜残余应力计算对于单晶硅,激光光子与其作用时存在3种光学振动模式,两种平面内的一种竖直方向上的,这与其晶体结构密切相关。...
我国在MEMS的设计和制造领域也取得了长足的发展。北京大学、清华大学、上海微系统所、中电13所、中电49所、中电55所、东南大学和上海交通大学等单位的研究在国内乃至国际均处于领先水平。本文所介绍的《硅基MEMS制造技术微键合区剪切和拉压强度检测方法》正是基于北京大学的科研成果而提出的一项国际标准提案。2....
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