ASTM F1190-24
无偏电子元件中子辐照的标准指南
Standard Guide for Neutron Irradiation of Unbiased Electronic Components
- 标准号
- ASTM F1190-24
- 发布
- 2024年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F1190-24
- 适用范围
- 1.1 本指南仅适用于将无偏硅 (Si) 或砷化镓 (GaAs) 半导体元件（集成电路、晶体管和二极管）暴露于中子辐射以确定元件中的永久位移损伤。国家标准（例如实践 E722）中针对硅和 GaAs 编写的经过验证的 1 MeV 位移损伤函数目前尚未针对其他半导体材料进行标准化。
1.2 本指南的要素（如有注明的偏差）也可能适用于由其他材料（例如 Ge、GaN、SiC 或 AlN）组成的半导体的暴露，但国家标准中编写的经过验证的 1 MeV 位移损伤函数目前不可用。
1.3 本指南仅涉及暴露条件。应使用适当的电气测试方法确定辐射对测试样品的影响。
1.4 本指南解决了与中子辐照有关的问题和疑虑。
1.5 本指南不包括系统和子系统的暴露和测试方法。
1.6 位移损伤半导体测试中感兴趣的中子通量范围约为 109 至 1016 1-MeV (Si)-Eqv.-n/cm2。
1.7 本指南不涉及中子引起的单个或多个中子事件效应 (nSEE) 或瞬态退火。
1.8 本指南提供了测试方法 1017（中子位移测试）的替代方案，它是 MIL-STD-883 和 MIL-STD-750 的组成部分。
1.9 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的用户有责任在使用前建立适当的安全、健康和环境实践并确定监管限制的适用性。
1.10 本国际标准是根据世界贸易组织技术性贸易壁垒（TBT）委员会《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确定的国际公认的标准化原则制定的。