ASTM E1855-20
使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法

Standard Test Method for Use of 2N2222A Silicon Bipolar Transistors as Neutron Spectrum Sensors and Displacement Damage Monitors

标准号

ASTM E1855-20

发布

2020年

发布单位

美国材料与试验协会

当前最新

ASTM E1855-20

 

 

引用标准

ASTM E170 ASTM E1854 ASTM E2005 ASTM E2450 ASTM E261 ASTM E265 ASTM E720 ASTM E721 ASTM E722 ASTM E844 ASTM E944

适用范围

1.1 本测试方法涵盖使用 2N2222A 硅双极晶体管作为确定中子能谱的剂量测定传感器和作为 1-MeV(Si) 等效位移损伤注量监测器。 1.2硅中的中子位移可以作为0.1至2.0 MeV范围内的中子谱传感器，并且可以在没有裂变箔时作为替代品。它已应用于 2 × 1012 n/cm2 至 1 × 1014 n/cm2 的注量范围，并且在最高 1 × 1015 n/cm2 的注量范围内应该有用。该测试方法详细介绍了使用 2N2222A 晶体管部分测定中子能谱时获取和使用 1-MeV(Si) 等效注量信息的方法。
1.3 该传感器通过传输技术直接测量硅 1-MeV 等效注量。
1.4 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任建立适当的安全、健康和环境实践，并在使用前确定监管限制的适用性。
1.6 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。

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