T/SEPA 4-2022
局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术 第1部分：基于SOI硅片的工艺规范

MEMS fabrication technology of EFPI fiber optic ultrasonic sensor probe for partial discharge detection Part 1: process specification using the SOI wafer

标准号

T/SEPA 4-2022

发布

2022年

发布单位

中国团体标准

当前最新

T/SEPA 4-2022

 

 

适用范围

      局部放电（partial discharge, PD）会产生电磁和声波信号，辐射光并会造成绝缘材料的化学分解； 这些物理和化学的效应可以通过各类诊断性方法及相应的传感器进行检测。其中，应用声学法测量电力 设备绝缘缺陷产生的PD，通常可选用基于压电或声光效应的传感器。随着制造加工技术的发展，针对利用MEMS（Microelectromechanical System）技术制作PD EFPI（Extrinsic Fabry-Perot Interferometer）光纤超声传感器探头被大量采用，本文件针对“局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术”，对“基于SOI硅片的工艺规范”进行描述，主要包括工艺流程、工艺要求、其他要求及检验，适用于电力设备PD EFPI超声传感器探头SOI芯片的制造和检验。

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