部分:架构制订2023/4/1187信息技术 装备数字孪生 通用要求制订2023/4/1188增材制造 金属粉末含水量的测定 卡尔费休库伦法制订2023/4/1189越野叉车 安全使用要求 第1部分:伸缩臂式叉车修订2023/4/1190光伏器件 第8-1部分:多结光伏器件光谱响应的测量制订2023/4/1191成型模 带头导套和带头定位导套制订2023/4/1192纳米制造 关键控制特性 发光纳米材料...
64半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法制订65饲料用酶制剂通则制订66水产配合饲料 第9部分:大口黑鲈配合饲料制订67高纯硼酸锂制订68半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法制订69锆及锆合金焊管制订70运载火箭和航天器图像通信规范制订71轨道交通车辆结构用铝合金挤压型材修订72饲料中新甲基橙皮苷二氢查耳酮的测定...
点击上方“材料人”关注我们1.硅底板铒掺杂CeO2薄膜金属氧化物半导体器件的电致发光现象我们在这里报道了硅底板铒掺杂CeO2薄膜金属氧化物半导体器件中铒在可见和近红外区的电致发光(EL)。EL的正向或反向的发动电压小于10V。此外,铒掺杂CeO2MOS器件可以避免EL荧光淬火。分析器件的电流-电压特性得出,在EL激发电压下,不论正向还是反向偏压,电子传输都是由陷阱辅助隧穿机制来控制。...
为了制造绝缘膜,通常使用聚合物介电材料和无机氧化物材料。绝缘膜的作用对于在各种复杂环境中实现快速和低功率器件以及高稳定性器件至关重要。电极可以由金属和导电材料如掺杂的共轭聚合物和金属纳米颗粒组成。源极和漏极将半导体膜中的电荷注入到运输中。通常选择金,钯,铂,银等高功函数金属。在OFET的工作状态下,当栅极(Vg)和漏极(Vd)电极上施加电压并且源极(Vs)上的电压为0时,电流在源极和漏极之间流动。...
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