ISO 23170:2022
表面化学分析.深度剖面.用中能离子散射法对硅衬底上纳米级重金属氧化物薄膜进行无损深度剖面
Surface chemical analysis — Depth profiling — Non-destructive depth profiling of nanoscale heavy metal oxide thin films on Si substrates with medium energy ion scattering
- 标准号
- ISO 23170:2022
- 发布
- 2022年
- 发布单位
- 国际标准化组织
- 当前最新
- ISO 23170:2022
- 引用标准
- ISO 18115
- 适用范围
- 本文件规定了一种使用中能离子散射 (MEIS) 对硅基底上的非晶重金属氧化物超薄膜进行定量深度分析的方法。
推荐
俄歇电子能谱仪的应用领域
溅射剖面法是让溶质扩散到多晶试样中，然后用离子溅射剖蚀表面层，同时用AES测量，获得浓度 深度剖面图； 沿晶断裂法是把溶质蒸发到多晶试样的清洁表面，并进行热处理使其晶界扩散。然后在AES仪的超高真空中使试样沿晶断裂，利用细电子束斑获得溶质在晶界上的的浓度剖面； 表面累积法是根据监测积累在试样外表面上扩散物质的数量，测定扩散系数D=D0EXP(-ΔE/KT)。...
残余应力小轴承滚珠深度剖析
通过电化学去除表面材料和测量残余应力(RS)作为深度的函数，可以研究淬火钢样品的表面性质。客户想知道4mm滚珠轴承的RS深度剖面。满足EN 15305无损检测标准。用X射线衍射法分析残余应力的试验方法选择0.3mm准直器用于测量。用传统的X射线衍射原理，一次具有合理数据质量的RS测量需要1小时55分钟。在残余应力深度剖面中，通常进行4-6个单独的RS测量，同时对中间的材料进行电解抛光。...
深圳大学Nano Energy：基于溅射后硒化法制备高效率Sb2Se3薄膜太阳电池
【图文导读】图1 Sb2Se3薄膜太阳电池制备流程图2 Sb2Se3薄膜的微结构a 硒化温度为340 °C， b 380 °C， d 420 °C， e 460 °C 表面形貌; c XRD， f 器件剖面形貌图3 Sb2Se3薄膜太阳电池性能 a 器件材料能级位置图，b I-V曲线，c EQE，d 器件稳定性图4 太阳电池TEM剖面情况a 电池剖面TEM形貌，b，c，d 不同径向深度Sb2Se3...