IEEE Std C62.35-2010
雪崩结半导体浪涌保护器件组件的 IEEE 标准测试方法
IEEE Standard Test Methods for Avalanche Junction Semiconductor Surge-Protective Device Components
2018-12
- 标准号
- IEEE Std C62.35-2010
- 发布
- 2010年
- 发布单位
- 美国电气电子工程师学会
- 替代标准
- IEEE Std C62.35-2010/COR 1-2018
- 当前最新
- IEEE Std C62.35-2010/COR 1-2018
- 适用范围
- 本标准讨论了用于电压等于或小于 1000 V rms 或 1200 V dc 的系统中的浪涌保护的雪崩击穿二极管。雪崩击穿二极管浪涌抑制器是一种半导体二极管，其Vl特性可以正向或反向工作。该组件是一个单一封装，可以由任何组合组装而成...
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