在5G基站领域, GaN PA(即氮化镓功率放大器)是5G基站的最优选择,预计在2025年前,我国 5G 宏基站预计将建设超过500万站,而5G宏基站、微基站、及毫米波基站带来的GaN PA 市场规模将超过1000亿元,而特高压、高铁和轨交、充电桩、大数据中心等高压大功率领域都将是SiC的天下。同时第三代半导体对实现“碳达峰、碳中和”起到至关重要的作用。...
巴丁和布拉顿最初制成的固体器件的放大倍数为50左右。不久之后,他们利用两个靠得很近(相距0.05毫米)的触须接点,来代替金箔接点,制造了“点接触型晶体管”。1947年12月,这个世界上最早的实用半导体器件终于问世了,在首次试验时,它能把音频信号放大100倍,它的外形比火柴棍短,但要粗一些。...
SiC有望颠覆汽车功率半导体未来 与GaN同属于宽禁带材料的SiC同样具有饱和电子漂移速度高、击穿电场强度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特点,并且与GaN相比,SiC热导率是GaN的三倍,并且能达到比GaN更高的崩溃电压,因此在高温和高压领域应用更具优势,适用于600V甚至1200V以上的高温大电力领域,如新能源汽车、汽车快充充电桩、光伏和电网。电动车高压化趋势明显。...
目前英飞凌、意法半导体等国际主流厂商的 4 英寸碳化硅产品线居多,并向 6 英寸产品线过度,龙头厂商 CREE 已经开发出 8 英寸产品。汽车半导体是未来碳化硅功率器件的主要推动力。碳化硅在高温、高压、大功率领域具有不可替代的优势,在电力控制和转换、高压等领域有着广泛的运用。...
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