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直拉晶体硅中掺氮可用来调控原生氧沉淀和空洞型缺陷,从而提高硅晶体的质量,已经在产业界广泛应用,除了间隙氧、代位碳、III-V族元素检测以外,氮的测量也是硅材料界的一个热点课题。众所周知,直拉单晶硅中含有较高浓度(浓度范围1017-1018cm-3)的间隙氧(Oi),当氮掺入直拉硅单晶中时,除了以氮-氮对(N-N)形式存在以外,氮还会和氧作用形成氮氧复合体(N-O complexes)。...
C、利用磁控直拉硅单晶工艺(MCZ)改进单晶硅棒产品质量 区熔单晶硅工艺避免了直拉工艺中大量氧进人硅晶体的固有缺陷,从而彻底解决了P型(掺硼)太阳电池的早期光致衰减现象。因FZ工艺成本较高,主要用于IC和其它半导体器件的硅片制造,但目前一些公司已对FZ工艺进行相关改造,降低了成本。以适合于太阳电池硅片的制造。国内一些拉棒公司已开展了这方面的试制工作。...
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