3.失效分析和可靠性研究相当多器件的失效与金属化有关,对于超大规模电路来说,金属化的问题更多,如出现电迁移,金属化与硅的接触电阻,铝中硅粒子,铝因钝化层引起应力空洞等。扫描电镜 是失效分析和可靠性研究中zui重要的分析仪器,可观察研究金属化层的机械损伤、台阶上 金属化裂缝和化学腐蚀等问题。...
对于 1 nm 以下的短沟道器件检测,可用类似于测量耗尽层宽度的方法,电子束对MOS 场效应管进行扫描,得到二条柬感生电流曲线,就可得知此场效应管的沟道长度。3.失效分析和可靠性研究相当多器件的失效与金属化有关,对于超大规模电路来说,金属化的问题更多,如出现电迁移,金属化与硅的接触电阻,铝中硅粒子,铝因钝化层引起应力空洞等。...
核辐射环境主要由α、β、中子、γ射线及核电磁脉冲组成。高空核爆炸产生的瞬时辐射环境的时间很短(一般为10~15s)。瞬态剂量率辐射效应、中子辐射位移损伤效应以及瞬态辐射的次级效应,对于战略武器和航天器的电子系统,都是必须重视的瞬时损伤因素。...
布鲁克纳米表面仪器部 向前 博士 X射线测量技术已经被逐步应用于半导体集成电路芯片的生产制程中。在半导体生产制程中,硅晶圆内部的不可视缺陷 (NVD, Non-Visual Defect) 以及晶圆破片(Wafer Breakage)是器件生产中面临的严重问题,导致良率降低、制造成本增加、生产机器诊断和维护成本增加等。...
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