AOI 根据散射光的强度估计缺陷的大小,而 ADR-AFM 通过机械扫描直接缺陷表面进行成像:除了横向尺寸外,ADR-AFM 还测量缺陷的高度或深度,从而可以区分凸出的“bump”和凹陷的“pit”缺陷。缺陷三维形状的可视化确保了可靠的缺陷分类,这是通过 AOI 无法实现的。 ...
在半导体生产制程中,硅晶圆内部的不可视缺陷 (NVD, Non-Visual Defect) 以及晶圆破片(Wafer Breakage)是器件生产中面临的严重问题,导致良率降低、制造成本增加、生产机器诊断和维护成本增加等。晶圆内部出现的不可视微裂纹可能会导致晶圆的破片,位错和滑移带等类型的内部晶格缺陷会降低电子设备的性能和良率。 ...
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