深度剖面分析 利用AES可以得到元素在原子尺度上的深度方向的分布。为此通常采用惰性气体离子溅射的深度剖面法。由于溅射速率取决于被分析的元素,离子束的种类、入射角、能量和束流密度等多种因素,溅射速率数值很难确定,一般经常用溅射时间表示深度变化。 界面分析 用AES研究元素的界面偏聚时,首先必须暴露 界面(如晶界面, 相界面,颗粒和基体界面等等。...
电子探针的电子光学系统,真空室和样品室与扫描电子显微镜相同,样品台可以上下左右移动或旋转。高能电子束可照射到样品上任意需要分析的区域,扫描线圈控制电子束在样品上扫描,就可以得到与扫描电子显微镜(SEM)一样的背散射电子图像或二次电子图像,只是图像的分辨率不如扫描电子显微镜。 ...
从芯片的背面利用OBIRCH(Optical Beam Induced Resistance Change, 激光束电阻异常侦测)确定了热点位置之后,再用双束电镜结合EDX能谱,观察热点位置的横截面微观形貌并进行成分分析,结果如图3所示。图3 a 是热点的中心位置附近的截面SEM图像,此时观察到了大面积的异常(红色框)。对异常处进行高倍SEM形貌观察和EDX能谱分析,结果见图3 b) 和c)。...
扫描电子显微镜工作原理(1)扫描电子枪产生的高能电子束入射到样品的某个部位时,在相互作用区内发生弹性散射和非弹性散射事件,从而产生背散射电子、二次电子、吸收电子、特征和连续谱X射线、俄歇电子、阴极荧光等各种有用的信号,利用合适的探测器检测这些信号大小,就能够确定样品在该电子入射部位内的某些性质,例如微区形貌或成分等。为了研究样品上更多部位的特征,必须利用扫描系统移动入射电子到样品上的不同位置。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号