Impurities[6] SEMI MF1391-1107 Test Methodfor Substitutional Atomic Carbon Content of Silicon by Infrared Absorption[7] GB/T35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法...
、量子阱、超晶格;声子光谱、半导体材料带隙,低维异质结构厚度以及电子特性研究;外延层厚度分析:同质外延,异质外延,单层,多层;红外光电探测器器件光谱响应表征:光电流谱;红外发光器件、激光器等电致发光器件中心波长、线宽、带宽表征:ICL,QCL,VCSEL;工业高纯晶体硅质量控制:间隙氧,代位碳,III-V族杂质元素分析;光伏硅晶体质量控制:间隙氧,代位碳,施主,受主元素含量;切割前硅晶棒、硅锭中氧含量轴向分布分析...
电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法制订硅铁 钙含量的测定 火焰原子吸收光谱法修订硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法修订工业用乙二醇试验方法 第4部分:紫外透光率的测定 紫外分光光度法修订工业用乙二醇试验方法 第3部分:总醛含量的测定 分光光度法修订锆化合物化学分析方法 钙、铪、钛、钠、铁、铬、镉、锌、锰、铜、镍、铅含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法制订高效液相色谱...
;声子光谱、半导体材料带隙,低维异质结构厚度以及电子特性研究;外延层厚度分析:同质外延,异质外延,单层,多层;红外光电探测器器件光谱响应表征:光电流谱;红外发光器件、激光器等电致发光器件中心波长、线宽、带宽表征:ICL,QCL,VCSEL;工业高纯晶体硅质量控制:间隙氧,代位碳,III_VI族杂质元素分析;光伏硅晶体质量控制:间隙氧,代位碳,施主,受主元素含量;切割前硅晶棒、硅锭中氧含量轴向分布分析...
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