本次大会发布了这9项标准：《半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《半导体发光二极管测试方法》、《氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《半导体发光二极管用荧光粉》、《功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《半导体发光二极管芯片测试方法》、《半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《半导体发光二极管产品系列型谱》以及《LED照明名词术语》等。...
点击蓝字关注我们目前，很多半导体器件必须长时间工作在高低温等各种恶劣环境下，高低温失效问题变得越来越严重，要针对分立元器件的高低温失效问题，研究低温环境下器件的电特性规律和各种参数随温度变化规律。因此，高低温环境的设定和保持对半导体器件来说十分重要，直接影响着它正常运行的可行性和数据的准确性。...
“高速光电子集成基础研究”重大项目由中科院半导体所为牵头组织单位，半导体所祝宁华研究员任项目组长，项目组联合单位包括南京大学、电子科技大学、上海交通大学和清华大学。光电子集成是未来半导体光电子器件技术的发展趋势，以集成芯片替代分立元器件，是应对光通信所面临的容量和能耗两大挑战的重要解决方案。...
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN－军级、JANTX－特军级、JANTXV－超特军级、JANS－宇航级、（无）－非军用品。第二部分：用数字表示pn结数目。1－二极管、2＝三极管、3－三个pn结器件、n－n个pn结器件。第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N－该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。...
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