半导体键合用铝-1%硅细丝 是非强制性国家标准,您可以免费下载预览页
找不到引用YS/T 543-2015 半导体键合用铝-1%硅细丝 的标准
由于硅与铝有不同的热膨胀系数(硅基芯片随温度升高扩张为 2~4 ppm / K,金属铝为23.5 ppm / K)。可见铝层在温度升高阶段会承受来自硅基芯片的压缩应力,此周期性压应力会在铝层弹性超过极限时导致粒子间的塑性变形(通常这种情况的结温>110℃),塑性变形进而导致了单个粒子的外突,最终导致表面粗糙无光泽。...
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