GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
GBT41325-2022, GB41325-2022
GB/T 41325-2022 发布历史
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称Low-COP抛光片)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm 和300 mm、晶向、电阻率0.1 Ω·cm~100Ω·cm 的Low-COP抛光片。
GB/T 41325-2022由国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 发布于 2022-03-09，并于 2022-10-01 00:00:00.0 实施。
GB/T 41325-2022 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 41325-2022 发布之时，引用了标准
- GB/T 12962 硅单晶
- GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片
- GB/T 14264 半导体材料术语
- GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
- GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
- GB/T 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)
- GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
- GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
- GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 41325-2022的历代版本如下：
- 2022年 GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
- 标准号
- GB/T 41325-2022
- 别名
- GBT41325-2022
GB41325-2022 - 发布
- 2022年
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 当前最新
- GB/T 41325-2022
- 引用标准
- GB/T 12962 GB/T 12965 GB/T 14264 GB/T 1550 GB/T 19921 GB/T 2828 GB/T 4058 GB/T 6616 GB/T 6624