在轨运行时间要求器件抗总剂量能力长期（多于5年）大于100Krad（Si）中期（3至5年）10至100Krad（Si）短期（少于3年）小于10Krad（Si）按上表选择长期运行抗总剂量辐射的半导体器件，其抗辐射总剂量的能力应大于100krad（Si），当RDM取2时，则应选RHA为F等级的器件。当所选器件无RHA要求时，应进行辐射总剂量评估试验（RET）以摸清器件的抗总剂量辐射的能力。...
针对空间科学用大面阵CCD器件应用需求，团队设计了辐照试验及测试方案，支撑了国产自主可控高精度光电探测器的抗位移损伤优化设计。2023年，李豫东带领团队还完成了高分、遥感、创新系列卫星及天舟货运飞船等型号任务的元器件评估任务。“我们建成的研发平台获得中国合格评定国家认可委员会（CNAS）认可，使新疆理化所成为国内唯一具有国家实验室认可的总剂量辐射效应试验单位。”...
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