2、 晶体管①双极晶体管②FET(Fidld Effect Transistor:场效应管)Ⅰ、接合型FETⅡ、MOSFET③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)3、 晶闸管①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅②GTO(Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管...
当第一阶段达到满负荷时,旗下功率半导体产能将是2021财年的2.5倍( 200和300毫米晶圆制造能力的总和,相当于200毫米)。 功率器件是管理和降低各种电子设备的功耗以及实现碳中和社会的重要组件。当前汽车电气化和工业设备自动化的需求正在扩大,对低压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管) 等器件的需求非常旺盛。 ...
)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等等。...
【引言】原子级厚度的二维(2D)半导体由于量子限域效应而具有特殊的光电特性,极薄的厚度也使它们的性质极易受到外部环境、电场条件等的调制,因而在各种功能电子器件方面受到了广泛的关注。通过高κ介质材料、离子液体或凝胶以及铁电(FE)极化等进行调制,二维半导体可从半导体调节到金属态或绝缘体,应用于诸如晶体管、逻辑反相器、存储器、发光二极管和光电探测器等具有不同结构和功能的器件中。...
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